NAND08GW3B2CN6E

4 Gbit, 8 Gbit, 2112Byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8V or 3V, NAND Flash memories

NAND08GW3B2CN6E

参数	值
型号编码	NAND08GW3B2CN6E
说明	4 Gbit, 8 Gbit, 2112Byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8V or 3V, NAND Flash memories
品牌	Numonyx
封装	TSOP

联系方式

分类	型号
	M29W128GL70ZA6E
Flash芯片 >	M29W640FB70N6E
存储芯片 >	M28W320FCB70N6E
Flash芯片 >	M25PE16-VMW6TG
存储芯片 >	NAND04GW3B2DN6E
Flash芯片 >	M25P32-VMW6TG
Flash芯片 >	M25P16-VMP6G
Flash芯片 >	M25P32-VMW6G
Flash芯片 >	M25P80-VMP6TG
Flash芯片 >	M25PE80-VMN6TP
Flash芯片 >	M25P05-AVMN6TP
Flash芯片 >	M25PE10-VMN6TP
	NAND02GW3B2DN6E
	M25P32-VME6G
Flash芯片 >	M25P16-VME6G
Flash芯片 >	M25P05-AVMN6P
Flash芯片 >	M25P80-VMW6G
Flash芯片 >	M25P80-VMP6G
Flash芯片 >	M25P64-VMF6P
Flash芯片 >	M25P16-VMW6TG
Flash芯片 >	NAND01GR3B2CZA6E
Flash芯片 >	M25P32-VMF6TP
	M29W160EB70N6E
	M29DW323DB70N6E
	M28W160CB70N6E
	M29W160ET70N6E
Flash芯片 >	M25P64-VMF6TP
存储芯片 >	M28W320FCT70N6E
Flash芯片 >	M29W320ET70N6E
Flash芯片 >	M29W128GH70N6E
Flash芯片 >	M29W128GL70N6E
Flash芯片 >	M25P80-VMW6TG
Flash芯片 >	M29W320DT70N6E
Flash芯片 >	M28W160CT70N6E
Flash芯片 >	M25P16-VMN6P
Flash芯片 >	NAND01GW3B2CN6E

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