4 Gbit, 8 Gbit, 2112Byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8V or 3V, NAND Flash memories
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 存储芯片 |
| 型号编码 | NAND04GW3B2DN6E |
| 说明 | 4 Gbit, 8 Gbit, 2112Byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8V or 3V, NAND Flash memories |
| 品牌 | Numonyx |
| 封装 | 48-TSOP |
